而且，胡锡G峰的偏移率在4.0GPa附近发生变化。
GNR和CNT的TEM、进承韭菜STEM图像及其AFM高度轮廓图 （来源：进承韭菜NatureElectronics）研究人员通过使用硝酸选择性刻蚀在高压下被压扁的CNT，也制得到了边缘打开的亚5 nm宽的GNR。炒股茬新金刚石对顶砧装置（DAC）被使用来对装载在其中的CNT样品施加压力。
观察到的D/G强度比的增加被主要归因于边缘的形成，胡锡表明CNT被压扁形成GNR。施加在CNT上的压力被逐渐加载至22.8 GPa，进承韭菜然后在最高压力时对样品进行热处理，最后再将压力从最高压逐渐降为大气压。炒股茬新该研究有利于促进碳材料在未来集成电路中的应用。
然而目前常用的诸如膨胀石墨的声化学剥离、胡锡宽GNR的气相蚀刻变窄、胡锡单壁碳纳米管（SWCNT）催化解链等方法产生的GNR的边缘具有较大的粗糙度、使得迁移率大大降低，不同根GNR间的电子结构和特性也具有较大差异。进承韭菜使用9.9nm宽的四层闭合边缘GNR制成的场效应晶体管可得到3776cm2 V–1 s–1的器件迁移率。
这种全新的方法可以制备窄至1.4nm的纳米带，炒股茬新并且可使样品中多至54%的单壁和双壁CNT被转变为GNR。
胡锡但零带隙的特点使得二维石墨烯在电子和光电子领域中的应用非常受限产品是否通过环境体系和职业健康安全体系的认证;是否逐步采用环保电镀工艺，进承韭菜减少氰化物使用、进承韭菜采用3铬电镀;是否达到电镀废水处理和电镀行业污染物排放标准，都是厂家开始更注重的问题。
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